在微機電系統、功率半導體、生物芯片等領域，硅材料的精準刻蝕是實現器件微結構的核心工藝。從MEMS傳感器的微型腔體到功率器件的深溝槽隔離結構，均需在硅基材料上實現深寬比高、側壁垂直度好的刻蝕效果。深硅刻蝕技術成為硅基器件制造的關鍵手術刀，為各類高性能器件的研發與量產提供技術保障。
深硅刻蝕的首要亮點是超高深寬比與精準輪廓控制。采用電感耦合等離子體刻蝕或反應離子刻蝕等先進技術，可實現深寬比大于50:1的硅刻蝕，刻蝕深度最高可達500μm，滿足MEMS器件的深腔體需求；通過優化刻蝕氣體配比，能精準控制刻蝕側壁垂直度，垂直度誤差小于0.5°，避免側壁傾斜導致的器件功能失效。例如在MEMS壓力傳感器制造中，深硅刻蝕可在硅片上刻蝕出厚度僅幾微米的敏感膜與深度達數百微米的背腔，確保傳感器具備高靈敏度與穩定性，同時保障批量生產時的一致性。
其次，高刻蝕速率與低損傷特性兼顧效率與質量。設備搭載高功率等離子體源，刻蝕速率可達1-5μm/min，較傳統濕法刻蝕效率提升10倍以上，大幅縮短器件制造周期；采用先進的等離子體控制技術，減少刻蝕過程中對硅基材料的離子轟擊損傷，刻蝕后硅表面粗糙度小于5nm，避免損傷層影響器件的電學或機械性能。在功率半導體器件制造中，深硅刻蝕可快速形成深溝槽隔離結構，隔離電壓可達數千伏，同時低損傷特性確保器件的長期可靠性，提升功率器件的使用壽命。
在適配性與工藝兼容性上，深硅刻蝕支持多場景定制化方案。針對不同尺寸的硅片，可定制對應的刻蝕腔體與夾持系統，確保刻蝕均勻性；面向生物芯片的微流控通道刻蝕，開發專用的精細刻蝕模式，實現寬度僅幾十微米的微通道刻蝕，滿足生物樣本的精準傳輸需求；此外，設備兼容多種光刻膠與硬掩膜，可根據器件工藝需求選擇合適的掩膜材料，實現復雜圖形的精準轉移，助力研發人員實現多樣化的器件設計。
從MEMS器件的微型化創新到功率半導體的高性能突破，再到生物芯片的功能拓展，深硅刻蝕以“深、精、快”為核心，推動硅基器件向更高性能、更復雜結構方向發展。選擇專業深硅刻蝕解決方案，不僅是保障器件制造質量的選擇，更是助力企業在器件領域突破技術瓶頸、提升核心競爭力的關鍵一環，為相關行業的技術升級與產品創新開辟新路徑。
